11月4-6日，备受瞩目的华为开发者大会2022（Together）在东莞成功举办，以“创新照见未来”为主题，展现了鸿蒙生态发展新格局。4日同期举行了华为第二届无线Massive MIMO技术论坛，通信理论与射频微波领域的重点高校21位院士大咖、fellow、专家教授们围绕未来无限MIMO基站的技术挑战与基础领域学科新动向展开探讨，线上线下1500余人参与。

　　华为无线Massive MIMO技术论坛

　　电子科技大学广东电子信息工程研究院（简称“电研院”）创新科研团队成员章文通副教授受邀出席会议并作《功率半导体器件电荷场调制机制与设计方法》主题演讲报告，详细分享了功率半导体器件发展现状与趋势、电荷场调制机制与设计方法，并介绍了课题组最新研究进展。报告中指出功率MOS器件比导通电阻与击穿电压之间的基本矛盾关系一直是功率器件领域研究的热点，如何在给定击穿电压下尽可能降低比导通电阻是一代代研究者孜孜不倦的追求。

　　电研院章文通副教授受邀参加并作主题报告

　　“我总结了一句口诀，荷场调制Ec近，垂直耗尽浓度高。功率半导体器件优化可归结为可变电荷场对电势场的调制，目的是消除电场峰值，使器件平均场尽可能靠近临界场Ec；而比阻优化的实质是在垂直耐压方向引入新的耗尽机制”。章文通认为功率器件设计可归结为“荷生场、场生势”，其耐压设计包括“改变电荷分布”和“改变电场线方向”两点，典型优化途径是“可变电荷场调制实现电场均匀化”和“垂直耐压方向引入耗尽导致掺杂浓度提升”，并进一步以“里程碑”超结器件和新型匀场HOF器件为例探讨如何创造性地在耐压层中引入“PN结耗尽”与“MIS耗尽”。

　　论坛嘉宾合影（第二排左四系章文通副教授）

　　章文通是电子科技大学电子科学与技术学院（示范性微电子学院）副教授，也是电研院科研团队核心成员，在莞开展“部分超结器件最低比导通电阻全域优化模型与新结构”和“新型匀场耐压层功率半导体器件模型与新结构”研究，分别获得了2018年和2022年广东省基础与应用基础研究（省自然科学基金）项目立项资助。前者提出部分超结器件势场分布模型，揭示双电荷场调制机理；获得器件参数优化设计式；将调制机理与解析设计式应用于部分超结器件并进行初步实验探索。后者提出匀场（Homogenization Field，HOF）耐压层概念，建立新型HOF耐压层等势场调制基础理论，揭示耐压层等势场调制机理；基于等势场调制，提出新型介质终端技术，降低终端曲率效应。该理论用于指导新型HOF耐压层设计，提出新型HOF耐压层器件新结构并进行实验研制。目前项目研究进展顺利并取得了一定成果，在IEEE EDL、IEEE TED、IEEE ICSICT，IEEE ISPSD等发表论文10篇，申请发明专利7件，其中已授权3件。

　　相关介绍：

　　章文通，电子科技大学广东电子信息工程研究院副教授，长期致力于功率半导体器件研究，主持国家自然科学基金面上项目（2项）、青年基金项目和省部级项目等10项，参与国家重大项目2项。在本领域顶级期刊IEEE EDL和IEEE TED发表论文18篇，其中一作15篇，论文2020~2021年连续两次入选IEEE EDL封面亮点（Highlight）论文，获IEEE优秀论文奖；在IEEE ICSICT 2022作特邀报告，连续5次在本领域顶级国际会议IEEE ISPSD作大会报告；申请发明专利60余项，授权32项，含美国专利1项。出版专著《功率超结器件》，该专著获2021年中国电子学会科技奖励大会表彰，由国家出版基金和工信部出版基金共同资助。获国防技术发明二等奖、中国电子学会优秀博士论文奖、电子科技大学学术新人奖、电子科技大学优秀博士后、四川省优秀毕业生等奖项。