近日，第四届电子元器件辐射效应国际会议（ICREED-2021）在中国西安召开。电子科技大学广东电子信息工程研究院（以下简称“电研院”）功率半导体与集成电路团队带头人张波教授的博士研究生王睿迪和硕士研究生耿立明分别作了论文口头报告，两人同时荣获“BEST ORAL PRESENTATION AWARD”，其中博士生王睿迪是第二次荣获该奖项。博士生王睿迪和硕士生耿立明为论文第一作者，导师为乔明教授，两篇论文通讯作者分别为乔明教授、周锌副研究员。

　　电子科技大学乔明教授、周锌副研究员同时均为电研院引进的高端人才，其中乔明教授在莞承担《高压集成器件结型耐压层电荷场调制理论和低损耗新结构研究》项目并获得广东省自然科技基金资助，致力于高压集成器件结型耐压层电荷场调制理论和低损耗新结构研究，突破现有结构的RON,SP-VB高指数“硅极限”关系。周锌副研究员在莞承担《薄层SOI高压器件背栅电荷调制模型与新结构研究》项目并获得广东省自然科学基金的资助，该项目针对背栅效应致低耐压、高比导通电阻科学问题，基于薄层SOI高压pLDMOS器件进行研究，获得优化工艺的参数。

博士生王睿迪口头报告

硕士生耿立明口头报告

　　附：获奖论文

　　题目《SEB Effect of Small Cell Pitch Super Junction VDMOS: Hardening Degradation and Optimization》论文，第一作者：王睿迪，导师：乔明教授，通讯作者：乔明教授。该论文研究了超结VDMOS进一步向小型化发展带来的单粒子加固挑战，深究了SEB过程内在机理，揭示了调制初始电离电荷输运、寄生管增益、体区电势分布不同因素下，SEB性能的变化，探究了在尺寸减小过程中器件源接触宽度、源接触深度和栅场板长度对单粒子烧毁SEB加固能力的影响，为小尺寸超结VDMOS抗辐射设计提供了指导。

　　题目《Investigation on Total-Ionizing-Dose Radiation Response for 700V Double-RESURF SOI-LDMOS》论文，第一作者：耿立明，导师：乔明教授，通讯作者：周锌副研究员。该论文研究了700V抗辐射Double RESURF SOI LDMOS器件，深究了多界面辐射损伤对器件特性的影响，揭示了器件电流退化机理，将线性电流退化主要归因于埋氧层辐射陷阱电荷场调制，而饱和电流退化由场氧层和埋氧层的辐射陷阱电荷场共同调制，为高压抗辐射SOI LDMOS器件设计提供了指导。

　　ICREED会议专注于航天领域电子元器件辐射效应最新发展和成果，每两年召开一次，是在电子器件辐射效应领域中与美国NSREC和欧洲RADECS同等水平的国际会议。本次会议由郝跃院士、赵元富教授担任大会主席，来自中国、美国、俄罗斯、意大利等国家高校与研究机构的近300名专家学者线上线下参会。

　　来源：电子科技大学官网