近期，广东省科技厅对《2021年度广东省基础与应用基础研究基金自然科学基金拟立项项目》进行了公示。电子科技大学广东电子信息工程研究院（简称“电研院”）组织申报的“高压集成器件结型耐压层电荷场调制理论和低损耗新结构研究”项目获批立项，资助经费100万元。

根据广东省省级财政专项资金管理办法有关规定，拟安排2021年省自然科学基金项目2764项（面上项目2654项，杰出青年项目110项），其中东莞地区仅立项3项，电研院是唯一一家获批立项的新型研发机构。

项目负责人是电子科技大学乔明教授，获得国家科技进步二等奖和国防科技进步二等奖（均排名前三），拥有国家授权发明专利102项，发表高水平论文92篇，其中SCI论文63篇。近年来，乔明教授率先提出衬底终端技术和新结构器件，创建先进量产工艺平台；提出场氧注入技术，开发最薄导电硅层SOI高压集成工艺，相关科研成果丰硕。

功率高压 MOS 器件的两个最基本参数是击穿电压(VB)与比导通电阻(RON,sp)，二者极限关系的科学问题一直是研究热点。该项目拟围绕功率高压MOS器件的核心科学问题——“硅极限”问题，致力于高压集成器件结型耐压层电荷场调制理论和低损耗新结构研究，突破现有结构的RON,SP-VB高指数“硅极限”关系，研制出RON,SP性能国际领先的500V-700V和100V-200V级横向功率MOS器件新结构，为新一代功率高压集成芯片研制奠定基础。

2020年，电研院广东省基础与应用基础研究基金项目立项工作继续保持良好发展态势，成功立项10项（其中杰青项目1项、青年基金9项），是东莞地区立项数量最多的单位之一。

广东省自然科学基金杰出青年基金项目启动于2012年，是广东省基础研究领域的高端人才项目。本次获批立项，是电研院历史上首次在杰青项目立项中取得的新突破，标志着研究院自然科学基金项目立项水平跃升到一个新的台阶。

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广东省自然科学基金杰出青年基金项目支持在基础与应用基础研究方面已取得一定成绩的优秀青年学者自主选择研究方向开展创新研究，促进青年科学技术人才快速成长，培育一批有望进入国家和世界科技前沿的优秀学术骨干。