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总投资200亿元,电研院功率芯片制造项目正式签约

点击次数:  更新时间:2019-12-02 15:11:16  【打印此页】  【关闭

11月30日下午,电子科技大学广东电子信息工程研究院(简称“电研院”)与名芯有限公司(香港)、江西省赣州经济技术开发区正式签订名冠微电子(赣州)有限公司功率芯片项目投资合同,项目总投资200亿元。

赣州经开区党工委副书记、管委会主任陈水连,电研院院长陈雷霆,名芯半导体董事、总经理刘明华作为三方代表进行了签约。赣州市委常委、区党工委书记李明生,市政协副主席、市科技局局长蓝赟,市商务局局长钟定岩,区党工委副书记、管委会副主任宋鹏和傅小新,电研院院长助理林华娟等见证项目签约。

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名冠微电子(赣州)有限公司功率芯片项目签约仪式

李明生在致辞中指出,赣州是江西省唯一的省域副中心城市,区位优势明显,政策红利丰厚,此次项目的顺利签约是“政府+科研院所+企业”碰撞出的绚丽火花,必将在赣州电子信息产业发展历程中留下浓墨重彩的一笔,区党工委、管委会将提供最优先的支持和最优质的服务,全力支持项目建设和企业发展。 

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赣州市委常委、区党工委书记李明生致辞

陈雷霆介绍了电子科技大学和电研院的定位、特点和技术优势,表示将为项目发展提供有力的技术支撑,将持续推动科学技术产业化,把握发展机遇,积极主动作为,助力实现高质量跨越式发展。

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电研院院长陈雷霆致辞

据了解,该项目总投资约200亿元,用地550亩,分两期建设:项目一期建设一条8英寸0.09-0.11μm功率晶圆生产线,投资约65亿元(其中进口晶圆制造设备约36亿元、厂房约15亿元),目标产能8万片/月,目标年产值40亿元;项目二期规划建设第三代6/8英寸晶圆制造生产线或12英寸硅基晶圆制造生产线,投资约140亿元,项目整体达产达标后年产值过百亿元。项目涉及产品类型包括IGBT、功率MOS、功率IC、电源管理芯片等,覆盖全球功率器件领域全部类别中80%品种。项目建成后,将填补江西省8英寸功率半导体晶圆生产线空白,也是赣州市首个总投资超200亿元的电子信息产业项目。


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